中微半导体科创板IPO注册获证监会通过 公司在全球多地设有营销中心

　　    本报记者 刘会玲

　　    7月1日晚间，来自证监会消息，中微半导体科创板IPO注册获通过。自3月29日提交申报稿获受理之后，公司经历了四轮问询，至6月11日提交上会稿；6月26日提交注册；再到证监会同意公司科创板IPO注册，不到100天时间中微半导体走完了从申报到注册的所有流程。

　　    根据科创板审核流程，在证监会同意公司注册之后，发行人可在1年之内自主选择发行时间。也就是说中微半导体应按照规定在注册决定有效期内发行股票即可。

　　    据悉，中微半导体聚焦用于、LED芯片等微观器件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和MOCVD设备等关键设备的研发、生产和销售。公司所处的半导体设备行业属于半导体产业链的上游核心环节之一。

　　    中微半导体表示，公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米的集成电路加工制造及先进封装。公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，已成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED设备制造商。

　　    此外，中微半导体在招股书中披露到，公司开发出与美国设备公司具有同等质量和相当数量的等离子体刻蚀设备并实现量产。

　　    记者梳理公司资料发现，中微半导体在全球多地设有营销中心，负责公司所有产品的销售管理。下设国内、韩国、日本、新加坡、美国等国家或者地区销售部门。

　　    截至2019年2月28日，中微半导体及其子公司拥有484项在中国境内注册专利，467项在境外注册的专利。

　　    公司管理层高度重视研发，2016年至2018年研发投入分别为3.02亿元、3.30亿元和4.04亿元，累计达到10.37亿元。不仅如此，公司董事长尹志尧从事半导体行业数十年，有着丰富的相关工作经验。

　　    据介绍，尹志尧1944年生，中国科学技术大学学士，加州大学洛杉矶分校博士。1984年至1986年，就职于英特尔中心技术开发部，担任工艺工程师；1986年至1991年，就职于泛林半导体，历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991年至2004年，就职于应用，曾任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官等职务；2004年至今，担任中微公司董事长及总经理。

　　    有市场分析人士指出，“公司重视研发投入，会促进公司的核心技术开发，拥有自己的专利技术，这样才能在国际市场立足发展。”

　　（编辑 白宝玉）